发布时间：2012-10-09
在热氧化过程中，经常会引入一种缺陷，称为氧化层错。自1963年首次观察到热氧化层错到现在，国内外都做了大量工作，对它有了初步的认识，但有些问题仍不很清楚，有待于更深入的研究。
把按规定时间腐蚀好的硅的表面，放在光学显微镜下便可看到一种沿方向的杆状缺陷，这种杆状缺陷随着腐蚀的时间增加长度不变，但会逐渐变成哑铃状，进而成半月状，也可能成为椭圆状，这就是热氧化后产生的氧化层错。
热氧化层错的形成是在含氧的气拭中，由表面或体内的某些缺陷先构成层错的核，然后高温下核逐步长大形成层错，其机理是较复杂的，通常形成层错核的原因有几个:硅片表面的机械损伤、离子注入的损伤、钠离子和氟离子的沾污、点缺陷的凝聚及氧化物的沉淀等。表面的机械损伤和化学污染形成的层错为表面型氧化层错，而由晶体内缺陷形成的层错为体内型氧化层错。
热氧化层错的存在会造成杂质的局部堆集，形成扩散管道，造成发射极一集电极短路。器件的漏电流随层错密度增加而增加，PN结的击穿电压也会随层错密度增加而降低，对于MOS器件，它能使栅电极下产生较大的暗电流。总之层错的存在会降低器件的成品率。尤其是对中大规模电路影响更大，必须引起足够重视。
