发布时间：2012-10-09

    人们发现二氧化硅对某些杂质向硅中扩散能起掩蔽作用，利用这一性质和光刻技术创造了硅器件平面工艺。在生产中，因为要多次重复地进行氧化，所以如何在硅晶体表面生长优质二氧化硅的技术，便成为硅平面工艺的基础。

    为了保证二氧化硅层的质量，可以采用宏观和微观的方法进行检验。宏观法是用平行光灯观察氧化层表面的质量，微观可采用化学腐蚀，然后通过显微镜进行观测。下面介绍一下工艺中常用的方法及出现的问题。

    测量氧化层厚度通常采用两种方法，即比色法和干涉法。

    比色法：生产中发现，不同厚度的氧化层，呈现出不同的颜色，随着厚度的增加，颜色从灰色逐步变到红色，当厚度继续增加时，氧化层颜色从紫色到红色周期性变化，因此人们制备了颜色与厚度之间关系的表，用来粗略地估算氧化层厚度。在氧化条件已定，工艺稳定的情况下，采用这种方法是简单、方便的。

    另一种测氧化层厚度的方法是双光干涉法，它是利用氧化层台阶上干涉条纹数目来求氧化层的厚度，其优点是设备简单，并且测量准确。

    测量氧化层厚度首先要制备氧化层的台阶，在样片的二氧化硅层上用黑胶或真空油脂保护一定区域，然后放入氢氟酸中，将未保护的二氧化硅层腐蚀掉，腐蚀时采用稀释的氢氟酸效果较好，氧化层的台阶较宽，另外时间不宜过长。腐蚀好以后，用甲苯或丙酮将黑胶擦掉，在没有腐蚀二氧化硅层的边缘处呈现一台阶，台阶越宽，显示出的干涉条纹，就越清楚，侧量也准确。